前不久三星發(fā)布新一代NGFF接口SSD，其讀寫速度高達1.4GB/秒，性能驚艷全場。我們從SSD和主板廠商的觀望態(tài)度分析，英特爾推出的NGFF接口要么是惡魔，要么是天使。三星為此做了另一手準(zhǔn)備，在現(xiàn)有SATA3.0接口上繼續(xù)改良SSD，推出原有840系列SSD的升級版－－三星840EVO SSD。

巔峰性能爆發(fā) 三星840 EVO1TBSSD首測

升級改良版的三星840 EVO SSD的最大容量翻倍至1TB，保留最小120GB容量；它在硬件層面上實現(xiàn)主控、閃存的換代，從根本上推動擴容、提高性能；最后它在獨門的加速軟件上著手，實現(xiàn)SSD閃存作為高速緩存，為深度應(yīng)用環(huán)境提速做準(zhǔn)備。

三星840 EVO SSD的硬件、性能改進明細

這款改良性能的三星840 EVO SSD包括120GB、250GB、500GB、750GB和1TB共5種容量的產(chǎn)品，本文測試的SSD即為該款1TB版本。下面我們將進入三星840 EVO 1TB SSD的技術(shù)解析、性能對比分析以及點評總結(jié)環(huán)節(jié)。

產(chǎn)品：SSD 840 EVO（1TB）三星固態(tài)硬盤

詮釋EVO 源自四位一體設(shè)計方案

三星840EVOSSD中的“EVO”全稱是:Evolution，其含義是發(fā)展、進化的意思，恰如其分的反映它是由840系SSD的進化升級而來。另外“EVO”是一款跑車的品牌，也是速度的一種體現(xiàn)。

“主控、閃存、緩存、固件”自主方案

那么三星如何實現(xiàn)進化升級？我們需要從三星的“主控、閃存、緩存、固件”四位一體的自主研發(fā)、生產(chǎn)談起。

●三核心ARM Cortex-R4主控

三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片

三星本身具備手機、平板ARM架構(gòu)處理器的研發(fā)生產(chǎn)能力，MEX主控是在成熟的MDX方案基礎(chǔ)上進一步提升頻率。它內(nèi)建三個ARM Cortex-R4核心，工作頻率提升至400MHz。

●世界最小10nm級 高速閃存芯片

三星3bit MLC高速閃存（每die為128Gbit）

三星840 EVO SSD采用世界最小10nm級 高速閃存芯片，每die晶圓芯片為128Gbit(折合為16GB），每顆黑色的成品閃存采用MCP多芯片封裝。1TB版本的單顆成品閃存含有8個die晶圓芯片，總?cè)萘窟_到128GB。

它基于ToggleDDR2.0閃存架構(gòu)。與現(xiàn)有三星840系SSD相比，新款EVO SSD在連續(xù)寫入性能方面提升了3倍之多。

●最高支持1GB獨立緩存

三星1GB 獨立緩存

SSD的獨立緩存用于存放映射表，越大容量的SSD就需要將映射表編得越大，對緩存的容量有更大的需求。最大容量為512GB的三星840系列SSD，擁有512MB獨立緩存。而到了最大容量為1TB的840 EVO SSD，則擁有1GB獨立緩存。

●針對840和EVO的不同固件支持

MDX和MEX硬件參數(shù)上的不同，意味著840 EVO SSD需要升級的原有固件（Upgraded firmware）。同時它為了匹配10nm級閃存，設(shè)計最新的、更先進的信號處理算法（latest generation Advanced Signal Processing）。

進化結(jié)果：

三星840 EV0 SSD通過四位一體的全面進化，迸發(fā)出強悍性能，僅寫入速度一項就提高1.6-3.1倍之多，隨機讀寫能力也有不同程度提高。下面我們進入相關(guān)測試成績對比分析：

產(chǎn)品：SSD 840 EVO（1TB）三星固態(tài)硬盤

讀寫速度對比：雙雙突破500MB/s

● ATTO Disk Benchmark最大讀取測試

ATTO Disk Benchmark是一款優(yōu)秀且免費的磁盤基準(zhǔn)測試軟件，支持對穩(wěn)定性/突發(fā)性傳輸速率進行讀寫測試，適用于常規(guī)硬盤、RAID、USB閃存盤、移動存儲卡等產(chǎn)品的讀寫性能測試。