MD4510型磁阻效應(yīng)實(shí)驗(yàn)儀概述： 本實(shí)驗(yàn)裝置使用砷化鎵（GaAs）霍爾傳感器測量磁感應(yīng)強(qiáng)度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應(yīng)強(qiáng)度下的電阻大小?？捎^測半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)和磁阻效應(yīng)兩種物理規(guī)律，及其作為磁測量不同應(yīng)用，具有研究性和相關(guān)性的實(shí)驗(yàn)特點(diǎn)，適合于基礎(chǔ)物理實(shí)驗(yàn)和綜合性物理實(shí)驗(yàn)。主要技術(shù)參數(shù)及性能： 1、IM：勵磁電流，直流0~900mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯； 2、Is：傳感器工作電流，直流0~1mA連續(xù)可調(diào)，3位半數(shù)顯； 3、數(shù)字式磁場強(qiáng)度和磁阻電壓測量：磁場強(qiáng)度0~999mT，準(zhǔn)確率1%；磁阻電壓0~2000mV，準(zhǔn)確率為0.5%。