產(chǎn)品品牌：西門康

產(chǎn)品型號：SKKH57/16E

深圳鵬電致遠電子有限公司是專業(yè)化的電子元器件供應(yīng)商,由公司自主研發(fā)、生產(chǎn)的快恢復(fù)二極管，肖特基二極管，整流橋，代理：臺灣建準風(fēng)機和瑞士LEM傳感器，IGBT,IC在國內(nèi)外都享有很很高的信譽。得到業(yè)內(nèi)人士的廣泛認可。更多點擊igbt工作原理及應(yīng)用

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的保護

引言

絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管，因此，可以把其看作是MOS輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動簡單和快速的優(yōu)點，又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點，因而，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。

在中大功率的開關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點，已逐步取代晶閘管或GTO。但是在開關(guān)電源裝置中，由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下，使得它容易損壞，另外，電源作為系統(tǒng)的前級，由于受電網(wǎng)波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大，故IGBT的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而，在選擇IGBT時除了要作降額考慮外，對IGBT的保護設(shè)計也是電源設(shè)計時需要重點考慮的一個環(huán)節(jié)。

1 IGBT的工作原理

IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止

由此可知，IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：

--IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓；

--IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓；

--流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流；

--IGBT的結(jié)溫。

如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動電壓過低，則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高超過柵極－發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞；同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極－發(fā)射極之間的耐壓，流過IGBT集電極－發(fā)射極的電流超過集電極－發(fā)射極允許的最大電流，IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。

2保護措施

在進行電路設(shè)計時，應(yīng)針對影響IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相應(yīng)的保護措施。

2．1 IGBT柵極的保護

IGBT的柵極－發(fā)射極驅(qū)動電壓VGE的保證值為