型號晶片材質(zhì)發(fā)光波長(nm)光輸出功率半功率角(deg)封裝特點和用途(mW)@IF(mA)KED050CXHGaAlAs850( p)2.450115TO-46氣密封裝發(fā)光直徑：50 mdia.fc=25MHzKED050CXKGaAlAs850( p)5.050125TO-46環(huán)氧樹脂透鏡KED080DXHGaAlAs850( p)1.020110TO-46氣密封裝發(fā)光直徑：80 mdia.fc=40MHzKED080RAXHAlGaInP650( p)0.620115發(fā)光直徑：50 mdia.fc=60MHzKED160RAXHAlGaInP650( p)0.820115發(fā)光直徑：160 mdia.fc=20MHz特點 高可靠性 發(fā)光直徑為50 m應(yīng)用 高速光學(xué)傳感器 光電編碼器 規(guī)格最大額定值項目符號額定值單位備考正向電流IF80mA反向電壓VR3V工作溫度Topr-20to 100℃Toavoidadewcondensation存儲溫度Tstg-30to 100℃Toavoidadewcondensation電子和光學(xué)特性項目符號特征值單位條件最小Typ.最大正向電壓VF1.92.4VIF=50mA反向電流IR10 AVR=3V光輸出功率PO2.4mWIF=50mA發(fā)光波長 p850( p)nm p=Peakwavelength,IF=50mA截止頻率fc32MHzIF=50mA半値角2 115degIF=50mA