A95101 硅膜、氮化硅膜制造制備技術(shù)配方生產(chǎn)工藝專利大全 （本輯280元， 含下列48項）（特別提示：本站的專利文獻(xiàn)均已被編成word格式，這在業(yè)內(nèi)獨樹一幟。） 01、使用原子層沉積法的氮化硅膜的形成方法02、氮氧化硅膜的形成方法、形成裝置以及程序03、氮化硅膜的制造方法04、一種介孔二氧化硅膜的制備方法05、一種氮化硅膜的生長方法06、氮化硅膜形成方法及裝置07、二氧化硅膜、該膜的形成材料和相關(guān)產(chǎn)品、及其制造方法08、多晶硅薄膜晶體管的多晶硅膜的形成方法09、生產(chǎn)結(jié)構(gòu)體的方法和氧化硅膜用蝕刻劑10、以連續(xù)式側(cè)向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩圖案11、硅烷聚合物及硅膜的形成方法12、借由控制膜層生成前驅(qū)物來控制所沉積氮化硅膜的性質(zhì)及均一性的方法13、氧化硅膜的成膜方法以及成膜裝置14、形成高質(zhì)量的低溫氮化硅膜的方法和設(shè)備15、生產(chǎn)氫化碳氧化硅膜的方法16、氮化硅膜的沉積制造方法及沉積系統(tǒng)17、玻璃的二氧化硅膜織構(gòu)化18、硅膜成形方法19、硅膜的形成方法和噴墨用油墨組合物20、高抗激光損傷閾值疏水增透二氧化硅膜的制備方法21、多晶硅膜表面處理溶液和采用該溶液的多晶硅膜表面處理方法22、由含表面活性劑的溶液制備的中孔二氧化硅膜及其制備方法23、除去氮化硅膜的方法24、一種多孔氧化硅膜的制備方法25、邊緣限定硅膜生長工藝的晶體生長設(shè)備與方法26、單晶硅膜的制造方法27、硅膜形成用組合物和硅膜的形成方法28、氮化硅膜、半導(dǎo)體器件、顯示器件及制造氮化硅膜的方法29、用化學(xué)蒸氣沉積技術(shù)沉積氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法30、非晶質(zhì)硅膜的結(jié)晶方法31、摻雜碳的二氧化硅膜的沉積方法與金屬內(nèi)連線的制造方法32、多晶硅膜的形成方法33、硅烷組合物、硅膜的形成方法和太陽能電池的制造方法34、多晶態(tài)硅膜的制造方法和制造裝置、以及半導(dǎo)體裝置及其制造方法35、氧化硅膜制作方法36、提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之間粘合強度的方法37、氮化硅膜、半導(dǎo)體裝置及其制造方法38、高級硅烷組合物及使用該組合物的硅膜形成方法39、氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作裝置40、低介電氮化硅膜及其制造方法和半導(dǎo)體器件及其制造工藝41、多晶硅膜的制造方法42、生產(chǎn)具有含有有機著色劑的二氧化硅膜的積層材料的方法和由此生產(chǎn)的積層材料43、硅膜改性彈性玻璃毛細(xì)管柱的制備44、結(jié)晶硅膜、半導(dǎo)體器件及其制造方法45、從氧化硅膜選擇蝕刻氮化硅膜的方法46、形成微晶硅膜的方法、光電元件及其制造方法47、制備薄硅膜的方法48、氧化硅膜的制造方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、顯示裝置和紅外光照射裝置