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公司基本資料信息
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高純氧化銦
化學符號:In2O3
分 子 量:277.64
熔 點:2465℃
規(guī)格:顆粒、粉末、片狀
密 度:7.18g/cm3
在10-4Torr的蒸發(fā)溫度:600℃
折 射 率(波長/nm):2.0(500)
透明范圍/nm:320
坩 堝:Al2O3
蒸發(fā)方式:鉑舟、電子束、反應(yīng)蒸發(fā)
薄膜的機械和化學性質(zhì):通常加熱到850℃即揮發(fā),不溶于水,晶體不溶于酸,但無定形粉溶于酸;薄膜為透明的導體
應(yīng) 用:氧化銦是一種N型半導體,在集成電路中用作電阻元件。